- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录531 > US6K2TR (Rohm Semiconductor)MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6
US6K2
Transistors
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
<It is the same characteristics for the Tr1 and Tr2>
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
10
Unit
μ A
Conditions
V GS =20V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
30
?
?
V
I D = 1mA, V GS =0V
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
I DSS
V GS (th)
R DS (on) ?
?
1.0
?
?
?
?
?
170
250
270
1
2.5
240
350
380
μ A
V
m ?
m ?
m ?
V DS = 30V, V GS =0V
V DS = 10V, I D = 1mA
I D = 1.4A, V GS = 10V
I D = 1.4A, V GS = 4.5V
I D = 1.4A, V GS = 4V
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Y fs
C iss
C oss
C rss
t d (on)
t r
t d (off)
t f
?
?
?
?
?
1
?
?
?
?
?
?
?
?
70
15
12
6
6
13
8
?
?
?
?
?
?
?
?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V DS = 10V, I D = 1.4A
V DS = 10V
V GS =0V
f=1MHz
V DD 15V
I D = 0.7A
V GS = 10V
R L = 21 ?
R G =10 ?
Total gate charge
Q g
?
?
1.4
2.0
nC
V DD
15V, V GS = 5V
Gate-source charge
Gate-drain charge
Q gs
Q gd
?
?
?
?
0.6
0.3
?
?
nC
nC
I D = 1.4A
R L = 11 ?, R G = 10 ?
? Pulsed
Body diode characteristics (Source-drain) (Ta=25 ° C)
<It is the same characteristics for the Tr1 and Tr2>
Parameter
Forward voltage
Symbol
V SD
Min.
?
Typ.
?
Max.
1.2
Unit
V
Conditions
I S = 0.6A, V GS =0V
Rev.B
2/3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
US6K4TR
MOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TUMT6
US6M11TR
MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6
US6M1TR
MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6
US6U37TR
MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6
USP3021RA
THERMISTOR NTC 10K OHM 1% PROBE
USP3986RC
THERMISTOR NTC 100K OHM 1% PROBE
USUG1000-103GRB
THERMISTOR NTC 10K 2% DO-35 UL
USUR1000-104G-06
THERMSTR NTC 100K 2% RING LUG UL
相关代理商/技术参数
US6K4
制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.8V Drive Nch+Nch MOSFET
US6K4TR
功能描述:MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
US6KB80-7000
功能描述:整流器 6.0 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
US6KB80R
功能描述:桥式整流器 Diode-Bridge Rectifier RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube
US6KB80R-7000
功能描述:桥式整流器 6.0 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube
US6M1
制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Small switching
US6M1_1
制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V+2.5V Drive Nch+Nch MOSFET
US6M11
制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch+Pch MOSFET